ldo是什么意思si（do是什么意思）

do

英 [du]

美 [du]

vi. 行，足够；生长chang

n. 要求；规定；C大调音阶中的第di一音

v. 做；干；学习；研究；进行xing；完成；解答；整理li；算出；引起；行过

aux. 助动词（构成疑问wen句和否定句）；（代替动词）；（用于yu加强语气）

银饰上ldo是什shi么意思

do手镯的字母是shi我愿意的意思

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LDO 是一种线性稳压器。线性稳wen压器使用在其线性区域内运行的晶体ti管或 FET，从应用的输shu入电压中减去超额的电压，产生经过guo调节的输出电压。所谓压ya降电压，是指稳压器将输出电压ya维持在其额定值上shang下 100mV 之内所需的de输入电压与输出电压差额e的最小值。正输出电压的

LDO（低压降jiang）稳压器通常使shi用功率晶体管（也称为传递设备）作zuo为 PNP。这种晶体管允许xu饱和，所以稳压器可以yi有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用yong NPN 复合电源yuan晶体管的传统线性稳压器的压ya降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传chuan递设备，其运行模式与yu正输出 LDO 的 PNP设备类似。

更geng新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压ya。使用 CMOS，通过稳压器的唯一yi电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这zhe种方式产生的压降只zhi有几十毫伏。

LDO 是一种线性稳压器qi。线性稳压器使shi用在其线性区域内nei运行的晶体管或 FET，从应ying用的输入电压中减去超额的de电压，产生经过调节的输出电压ya。所谓压降电压，是指zhi稳压器将输出电压维持在其额e定值上下 100mV 之内nei所需的输入电压与输出电压差额的最zui小值。正输出电压的LDO(低压降jiang)稳压器通常使用功率晶体ti管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体ti管允许饱和，所以yi稳压器可以有一个非常低di的压降电压，通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电dian源晶体管的传统线性稳压器qi的压降为 2V 左右。负fu输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式shi与正输出 LDO 的 PNP设备类似。更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供gong最低的压降电压。使用 功率luMOS，通过稳压器的唯一电压压降jiang是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种zhong方式产生的压降只有几十毫伏。DC-DC的意思是直流变(到)直zhi流(不同直流电dian源值的转换)，只要符合这个定义都可ke以叫DCDC转换器，包括kuoLDO。但是一般的说法是把直流liu变(到)直流由开关方式实现xian的器件叫DCDC。LDO是低压降的意yi思，这有一段说明：低压降jiang(LDO)线性稳压器的成本低，噪音yin低，静态电流小，这些是它的突出优点dian。它需要的外接元件jian也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳wen压器可达到以下指标：输出噪zao声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA(TI的deTPS78001达到Iq=0.5uA)，电压降只zhi有100mV(TI量产了号称cheng0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之zhi所以能够达到这个水平，主要原因yin在于其中的调整管guan是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使shi用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动dong的，不需要电流，所以大大降jiang低了器件本身消耗hao的电流;另一方面，采cai用PNP晶体管的电路中，为了le防止PNP晶体管进入饱bao和状态而降低输出能力， 输入和输shu出之间的电压降不可以太低di;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流liu与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上shang面的电压降非常低。如果输入电压和he输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所suo以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳wen压器。虽说电池的能量liang最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证zheng电池的工作时间较长，同时噪音较低。如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面mian的原理可以知道，LDO的输入电流基本ben上是等于输出电流的，如果压降太大da，耗在LDO上能量太tai大，效率不高。DC-DC转换器包括升压、降压、升sheng/降压和反相等电路。DC-DC转zhuan换器的优点是效率高、可以输出大da电流、静态电流小xiao。随著集成度的de提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感gan器和滤波电容器。但是，这zhe类电源控制器的输出脉动和开关噪音较jiao大、成本相对较高。近jin几年来，随著半导体技术的de发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源yuan控制芯片的成本ben不断降低，体积越来越小。由于yu出现了导通电阻很hen小的MOSFET可以输出很大da功率，因而不需要外部的大da功率FET。例li如对于3V的输shu入电压，利用芯片pian上的NFET可以得到5V/2A的输出。其qi次，对于中小功gong率的应用，可以使shi用成本低小型封feng装。另外，如果开关guan频率提高到1MHz，还hai能够降低成本、可以使用尺寸较小的电dian感器和电容器。有些新器件还hai增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择ze等。总的来说，升压是一定ding要选DCDC的，降压，是选择zeDCDC还是LDO，要在成cheng本，效率，噪声和性能上比较jiao。LDO的四大要素压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑yi制比(PSRR)、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。产chan品设计师按产品负载对电性xing能的要求结合四大要素来选择LDO。在手机上shang用的LDO要求尽可能小的噪zao音(纹波)，在没有RF的便携式产品需xu求静态电流小的LDO。LDO的工作条件Vin = Vdrop + Vout。且一般需要yao两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电dian容或MLCC。注意yi：LDO是稳压ya器

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